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专利名称偏振态可调谐的太赫兹波发射器
申请日2018-09-03
申请号/专利号CN201821438299.9
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人吴晓君;聂天晓;肖猛;孔德胤
公告日2019-05-10
公告号CN208847991U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类

摘要

本实用新型实施例提供了一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器,将超材料层设置在铁磁纳米薄膜层上,超材料层上刻蚀有周期性的“十”字型镂空结构;通过样品架带动铁磁纳米薄膜层旋转,进而带动超材料层旋转,对太赫兹波的偏振态进行调制。本实用新型实施例中将调制偏振态的超材料层集成在太赫兹波发射器内,使从太赫兹发射器出射的太赫兹波的偏振态可控,而不需要在使用其他外部元件实现太赫兹波的偏振态的调制。可实现片上集成的窄带线偏振太赫兹波发射器、窄带椭圆偏振太赫兹波发射器和窄带圆偏振太赫兹波发射器;不仅可实现弱场太赫兹偏振可控的发射器,而且也可用于偏振可调控的强场太赫兹发生器。
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