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专利名称MEMS器件
申请日2018-12-29
申请号/专利号CN201822255901.1
专利权人杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
申请人杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
发明人/设计人孙伟;闻永祥;刘琛;葛俊山;马志坚
公告日2020-03-10
公告号CN210133882U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类集成电路

摘要

本申请公开了一种MEMS器件。该MEMS器件包括:CMOS电路;以及MEMS模块,位于CMOS电路上,CMOS电路与MEMS模块连接,用于驱动MEMS模块,其中,MEMS模块包括:保护层,位于CMOS电路上;空腔,位于保护层中;第一电极,位于保护层与空腔上,与CMOS电路电连接,第一电极覆盖空腔;压电层,位于第一电极上,压电层与空腔的位置对应;第二电极,位于压电层上,与CMOS电路电连接;以及通孔,位于保护层或第一电极上,通孔到达空腔中,其中,压电层将通孔暴露。该MEMS器件的灵敏度高同时又显著降低制造成本和改善工艺兼容性。
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