本申请涉及一种GaNHEMT漏极控制电路及设备。GaNHEMT漏极控制电路，包括：漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管。漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源，第二输入端用于接入漏压控制信号，第一输出端连接第一N型MOS管的栅极，第二输出端连接第一N型MOS管的漏极，第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极；第一N型MOS管的源极用于连接GaNHEMT的漏极。基于上述结构，漏压开关驱动电路接收漏压控制信号，输出驱动信号给第一N型MOS管的栅极，控制第一N型MOS管漏源两极的通断；利用第一N型MOS管来控制GaNHEMT漏压的开与关，能够实现漏压开关的高速切换，同时，可降低漏极电源开关的损耗以及电路成本，提高电路的可靠性和效率。