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专利名称半导体装置和测试方法
申请日2018-12-27
申请号/专利号CN201811609813.5
专利权人拉碧斯半导体株式会社
申请人拉碧斯半导体株式会社
发明人/设计人八木胜义
公告日2019-07-12
公告号CN110011661A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及半导体装置和测试方法。目的在于提供能够在不招致在通常工作时的特性劣化的情况下容易地进行制品出货前的测试的半导体装置和测试方法。本发明的半导体装置具有PLL电路,所述PLL电路包含:相位比较部,对基准信号与振荡信号的相位差进行检测,生成由2值表示相位差的相位差信号,并将其经由第一外部端子外部输出;电压变换部,将具有与相位差对应的电压值的相位差电压向相位差电压节点施加,所述相位差由相位差信号表示;振荡部,生成具有与相位差电压对应的频率的信号来作为振荡信号;以及校正电路,将校正电流向相位差电压节点供给,在第二外部端子接收到测试控制信号的情况下将与测试控制信号对应的电流作为校正电流向相位差电压节点供给。
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