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专利名称基于耦合电容的浮动电平场效应管或晶体管驱动电路
申请日2018-12-26
申请号/专利号CN201811601147.0
专利权人中国电子科技集团公司第十八研究所
申请人中国电子科技集团公司第十八研究所
发明人/设计人胡斌;李琨;孙宏杰
公告日2019-05-21
公告号CN109787602A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种基于耦合电容的浮动电平场效应管或晶体管驱动电路,包括FET驱动电路和BJT驱动电路;FET驱动电路包括n组FET、n个耦合电容和n个电阻,每组FET包括至少一个FET;此组FET的源极处于同一电平;针对于第i组FET:开关信号端子通过耦合电容Ci与该组的每个FET的栅极连接,开关信号端子通过电阻Ri与FET的源极连接;i为1至n的自然数。BJT驱动电路包括n组BJT,每组BJT包括至少一个BJT;此组BJT的发射极处于同一电平;针对于第i组BJT:开关信号端子通过耦合电容Ci’与该组的每个BJT的基极连接,开关信号端子通过电阻Ri’与BJT的发射极连接。
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