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专利名称 | 基于阱内高压高精度多晶电阻的降压分压偏置电路 |
申请日 | 2018-12-26 |
申请号/专利号 | CN201811603308.X |
专利权人 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
发明人/设计人 | 程绪林;黄立朝;李珂;臧凯旋;丁宁;常伟 |
公告日 | 2019-04-26 |
公告号 | CN109687869A |
法律状态 | 审中 |
专利类型 | 发明 |
行业分类 |
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