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专利名称基于阱内高压高精度多晶电阻的降压分压偏置电路
申请日2018-12-26
申请号/专利号CN201811603308.X
专利权人中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人中国电子科技集团公司第五十八研究所
发明人/设计人程绪林;黄立朝;李珂;臧凯旋;丁宁;常伟
公告日2019-04-26
公告号CN109687869A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种基于阱内高压高精度多晶电阻的降压分压偏置电路。偏置电路包括:2个高耐压高精度的多晶电阻分压电路和、电压自偏置电路和、双极型复合管、串联分压管、串联电阻分压电路和电流偏置电路;2个高耐压高精度的多晶电阻分压电路串联,用于从高压端口VDD获取高压,并分压降压后得到采样电压VK;采样电压VK经过电压自偏置电路和稳压后产生稳定的电压VQ;稳定电压VQ经过双极型复合管和串联分压管进行电压降压微调后,输出恒定的低压偏置电压VCC;恒定的偏置电压VCC经过串联电阻分压电路分压后,获得多种取值的参考电压VREF;同时电流偏置电路利用恒定的偏置电压VCC产生多路的稳定偏置电流IBAS。整个偏置电路网络提高了电路的集成度,缩小芯片面积,降低成本。
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