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专利名称一种P波段低噪声放大器的制作工艺
申请日2018-12-20
申请号/专利号CN201811560615.4
专利权人安徽华东光电技术研究所有限公司
申请人安徽华东光电技术研究所有限公司
发明人/设计人奚凤鸣;周宗明;李金晶;汪宁;聂庆燕;俞畅
公告日2019-05-03
公告号CN109714009A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种P波段低噪声放大器的制作工艺,包括以下步骤:1、将元器件烧结到电路板上;2、将绝缘子和已表贴元器件的电路板烧结到壳体上;3、将滤波器烧结到壳体上;4、胶接芯片;5、在相应位置金丝键合;6、调试、测试、封盖、打标。采用上述技术方案,所述的P波段低噪声放大器输出功率高、增益高、低噪声、宽频带、高性能;经过本发明制造生产的P波段低噪声放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试,各项性能指标完全达到整机要求;该制造工艺流程科学、简便,生产的产品合格率较高,适合批量生产。
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