一种基于应力控制的磁性逻辑器件，它为复合多层膜结构，在线状压电材料薄膜中心上方，生长一条铁磁性薄膜纳米线，底层压电薄膜中部为两组相对的电极B1、B2，作为逻辑信号电平U的输入端；在铁磁纳米线左端上方水平面内，通过一条垂直于纳米线方向的导电纳米线，作为磁性写入端；脉冲电流Iw通过导电纳米线时产生的奥斯特场能改变其下方铁磁纳米线的磁化方向，进而在铁磁纳米线中产生磁畴壁；在铁磁纳米线中通入控制电流Ic，驱动磁畴壁沿着电流方向运动。本磁性逻辑器件基于电场控制，具有低功耗和可在室温下工作的优点；它能够完成单输入的“非”逻辑功能，双输入或者多输入的“与非”、“或非”等逻辑运算功能。