一种利用衬底偏压反馈增强STT‑MRAM读可靠性的电路，由读取电路单元、1T‑1MTJ存储单元、参考单元和读取放大器单元组成；该参考单元由两个并联的‘0’状态和‘1’状态的存储单元构成，信号VG‑access控制1T‑1MTJ存储单元选通的字线信号；该读取电路单元包括两个部分，第一部分为电压钳制电路，用于保持数据支路和参考读取支路的读取电压基本相同；第二部分为负载电路，用于将读取电流转化为读取电压，读取电压和参考电压进入二级读取放大器，将读取信号进一步放大。本发明通过采用衬底偏压正反馈的方法，调节读取电路中负载晶体管的衬底偏压，增大读取电压和参考电压之间的差值，从而增大读取裕量，提高读可靠性。