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专利名称一种基于金属掺杂的有机磁隧道结及制造方法
申请日2015-04-20
申请号/专利号CN201510188048.4
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人张学莹;赵巍胜;郭玮
公告日2017-11-17
公告号CN104916774B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

一种基于金属掺杂的有机磁隧道结,其主体部分由不同材料的多层膜叠加而成,自上而下分别为顶电极,隧穿层,金属掺杂的有机物层,底电极;一种基于金属掺杂的有机磁隧道结的制造方法,有六大步骤。本发明提出的基于金属掺杂的有机磁隧道结具有如下特性:电阻值随器件两端施加的电压变化而变化,且阻值跳变所需的阈值电压很小;将器件置于磁场中,器件的电阻值会随施加的磁场变化而变化;在不同的偏压条件下,器件阻值随外加磁场改变方式不同。因此,利用此器件对电压和磁场的敏感特性,将其应用于信息存储、逻辑计算和传感器制作等领域。
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