本申请公开了一种声表滤波器，包括采用半导体平面工艺在128度铌酸锂基片的表面金属薄膜上形成的两个扇形换能器；每个所述扇形换能器采用单指结构；所述金属薄膜厚度通过以下公式计算得到：h＝‑(C1*λ)/C2；其中λ为扇形换能器周期，C1为基片材料的机电耦合系数的0.359倍，C2为滤波器电极的机械反射系数；所述单指结构的指条占空比为50％；所述扇形换能器孔径的长度范围为所述扇形换能器最窄端的单指换能器周期的60‑80倍；所述扇形换能器由若干个子滤波器采用首尾相连的串联方式级联而成。本申请的有益效果是滤波器结构简单、体积小、超宽带宽、带外抑制高等优点。