本公开涉及用于基带终止和RF性能增强的硅屏蔽件。一种RF放大器装置包括在接地凸缘上的半导体管芯和集成无源装置(IPD)。所述IPD包括半导体衬底和联接到所述半导体衬底的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。所述MIM电容器包括第一电极、第二电极和在所述第一电极与所述第二电极之间的电介质。第一RF电容器在所述半导体衬底上方并且第二RF电容器在所述半导体衬底上方。金属层经图案化以形成升高的金属屏蔽结构的一部分、所述第一RF电容器的第一板和所述第二RF电容器的第一板。所述升高的金属屏蔽结构在所述MIM电容器上方。所述IPD电联接到所述半导体管芯。