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专利名称用于GaN功率集成模块的过热保护电路
申请日2018-11-27
申请号/专利号CN201821964246.0
专利权人黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司
申请人黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司
发明人/设计人胡一波;黄伟;程德明;胡文新;鲍婕;许晶晶
公告日2019-06-11
公告号CN208971481U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类

摘要

本实用新型公开一种用于GaN功率集成模块的过热保护电路,包括2个温度检测电阻、3个偏置电阻、1个电压钳位二极管、1个滤波电容C1、4个NMOS管和9个PMOS管;该过热保护电路可以自动检测功率模块温度高低,当温度过高时自动关断GaNFETs器件,并且可以滤除高侧和低侧电源电压上出现的尖峰毛刺信号的干扰,保证GaNFETs的工作特性处于安全区。
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