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专利名称一种适用于MLC NAN闪存的LDPC码译码方法
申请日2018-11-22
申请号/专利号CN201811401607.5
专利权人华中科技大学
申请人华中科技大学
发明人/设计人童薇;刘景宁;冯丹;赵雨桐;覃鸿巍;赵威
公告日2019-04-19
公告号CN109660263A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种适用于MLCNAND闪存的LDPC码译码方法,包括:(1)确定待译码数据所属页的类型,若为低页,则转入步骤(2);否则,转入步骤(3);(2)对待译码数据进行LDPC码译码,并保存译码结果;译码结束;(3)获得同一单元中译码后的低页数据,根据所获得的低页数据和待译码数据确定存储单元的阈值电压范围;根据所确定的阈值电压范围计算对数似然比;以所计算的对数似然比为译码输入,对待译码数据进行LDPC码译码;译码结束。本发明能够提高译码成功率、减少译码迭代次数,从而达到降低译码延迟、提高闪存读性能的目的。
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