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专利名称高可靠性电平位移电路
申请日2018-11-19
申请号/专利号CN201811374319.5
专利权人中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人中国电子科技集团公司第五十八研究所
发明人/设计人奚冬杰;罗永波;宣志斌;肖培磊
公告日2019-03-29
公告号CN109547009A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及一种高可靠性电平位移电路,其特征是:包括低端低压部分电路、高端高压部分电路、驱动电路和功率输出级;所述低端低压部分电路将Control_Logic_Low进行预处理输出至高端高压部分电路以控制高端高压部分电路;所述高端高压部分电路对驱动电路中的PLDMOS与NLDMOS的栅端电位分别单独处理,驱动电路将NLDMOS的源端采用浮动电位,保证两者栅源压差始终不会大于其击穿值;所述驱动电路控制功率输出级中高端功能率器件NLD_UP的开关。本发明将驱动电路中PLDMOS管和NLDMOS管的栅电位分别单独处理,且对NLDMOS管的源端采取浮动电位设计,这使得PLDMOS管和NLDMOS管的栅源压差始终不会大于其击穿值,从而避免了当电源电压波动较大时电平位移电路驱动下一级MOS管栅极时出现栅击穿现象。
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