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专利名称参考电压生成器和包括其的半导体设备
申请日2018-11-16
申请号/专利号CN201811364521.X
专利权人三星电子株式会社
申请人三星电子株式会社
发明人/设计人A.卡瓦拉;李善奎;郑秉勋;任政炖;崔荣暾
公告日2019-05-24
公告号CN109802681A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种半导体设备,包括:参考电压生成器,被配置为输出参考电压。参考电压生成器包括升压码电路和第一数字‑模拟转换器(DAC)。升压码电路包括被配置为生成第一升压脉冲的第一升压脉冲生成器和被配置为基于参考码和第一升压脉冲输出第一升压码的第一升压码控制器。第一DAC被配置为通过转换第一升压码来输出参考电压。当第一升压脉冲具有第一逻辑电平时,第一升压码具有与参考码不同的第一码值,并且当第一升压脉冲具有与第一逻辑电平相反的第二逻辑电平时,第一升压码具有与参考码相同的值。
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