一种多级放大器包括激励级管芯和末级管芯。所述激励级管芯包括第一类型的半导体衬底(例如，硅衬底)、第一晶体管、和级间阻抗匹配电路的集成部分。所述第一晶体管的控制端电耦合到所述激励级管芯的RF信号输入端，且所述级间阻抗匹配电路的所述集成部分电耦合于所述第一晶体管的载流端与所述激励级管芯的RF信号输出端之间。所述第二管芯包括III‑V半导体衬底(例如，GaN衬底)和第二晶体管。连接件是所述级间阻抗匹配电路的非集成部分，电耦合于所述激励级管芯的所述RF信号输出端与所述末级管芯的RF信号输入端之间。