一种多级放大器包括驱动级管芯和末级管芯。所述末级管芯包括III‑V半导体基板(例如，GaN基板)和第一晶体管。所述驱动级管芯包括另一类型的半导体基板(例如，硅基板)、第二晶体管，和电耦合到所述第一晶体管的控制端的一个或多个次级电路。连接(例如，焊线阵列或其它DC‑耦合式连接)电耦合于所述驱动级管芯的RF信号输出端和所述末级管芯的RF信号输入端之间。所述驱动级管芯的所述次级电路包括经由各种连接电连接到所述末级管芯的末级偏压电路和/或末级谐波控制电路。