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专利名称电压箝位保护结构及运算放大器输入级结构
申请日2018-10-31
申请号/专利号CN201811291283.4
专利权人西安微电子技术研究所
申请人西安微电子技术研究所
发明人/设计人钟咏梅;王勇;刘鹏
公告日2019-03-15
公告号CN109474246A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了电压箝位保护单元、电路及包含保护电路的运算放大器,包括晶体管Q23,晶体管Q23的集电极与晶体管Q25的集电极连接,晶体管Q25的发射极与正电源VS+连接,晶体管Q25的基极与晶体管Q26的基极连接,晶体管Q25的基极与集电极连接;晶体管Q26的发射极与正电源VS+连接,集电极与二极管D3的负极连接且用于连接晶体管Q1的集电极,二极管D3的正极与结型场效应管PJFET1的源极连接;结型场效应管PJFET1的漏极与负电源VS‑连接,栅极用于连接输入晶体管Q1的发射极。采用二合一箝位结构对输入晶体管进行箝位,在与现有工艺完全兼容的前提下,实现晶体管小偏置电流高放大倍数的需求,既不影响电路性能,避免了难度较大的工艺开发所带来的风险。
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