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专利名称一种表面等离激元编码单元及表面等离激元编码芯片
申请日2018-10-30
申请号/专利号CN201811277032.0
专利权人国家纳米科学中心
申请人国家纳米科学中心
发明人/设计人杜乐娜;董建杰;刘前
公告日2019-03-15
公告号CN109473125A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种表面等离激元编码单元及表面等离激元编码芯片。该表面等离激元编码单元包括:透明衬底和设置于透明衬底一侧的金属层;金属层包括至少两组编码组件;每个编码组件包括编码信号产生元件,编码信号产生元件包括第一狭缝和第二狭缝;每个编码组件还包括位于编码信号产生元件的两侧的第一编码信号接收元件和第二编码信号接收元件;每个第一编码信号接收元件以及每个第二编码信号接收元件均包括一组光栅结构,每组光栅结构包括至少两个凹槽;凹槽的延伸方向与第一狭缝的延伸方向之间的夹角不等于90°,且凹槽的深度小于金属层的厚度。本实施例提供的表面等离激元编码单元,可以实现更大的存储密度。
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