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专利名称可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法
申请日2018-10-29
申请号/专利号CN201811271504.1
专利权人武汉大学
申请人武汉大学
发明人/设计人谢英;刘胜;蔡耀;邹杨;周杰;刘婕妤;孙成亮
公告日2019-03-15
公告号CN109474252A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供了一种可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法。本发明提供的可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括:衬底,中部具有向上开口的凹槽;SiC/Diamond薄膜层,形成在衬底上,中部设有与凹槽对应的贯穿口;以及压电震荡堆部,形成在SiC/Diamond薄膜层上,并且位于贯穿口的正上方,从下至上依次包括:底电极、压电层、和顶电极。本发明利用SiC/Diamond薄膜层声波传播速率快、硬度高的特点,可以很好的抑制压电薄膜中产生的横向振动模式的声波,并且可以减小软质衬底引入的机械阻尼,减少声波能量损耗,降低薄膜体声波谐振器的插入损耗,获得高的Q值和机电耦合系数。
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