本发明公开低功耗具有抵抗双节点翻转能力的锁存器结构，包括反相器INV，传输门，存储单元以及与存储单元连接的MCE单元，与MCE单元连接的弱保持器WK；所述传输门包括五个传输门TG1‑5，所述存储单元包括12个PMOS管与12个NMOS管，所述MCE单元包括3个PMOS管与3个NMOS管；所述MCE单元与传输门TG5连接；传输门TG1‑3的输出分别与存储单元的相应节点连接，传输门TG4与Q节点连接。本发明中提出的低功耗具有抵抗双节点翻转能力的锁存器结构的加固结构与传统的加固结构相比，可以抵抗单粒子双翻转，与最新的抗单粒子双翻转锁存器结构相比，同时具有面积小功耗低的特点。