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专利名称基于二硫化钼晶体管的光控开关电路
申请日2018-10-11
申请号/专利号CN201811181370.4
专利权人西安电子科技大学
申请人西安电子科技大学
发明人/设计人林珍华;常晶晶;张冰娟;苏杰;郝跃
公告日2019-02-15
公告号CN109347469A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种基于二硫化钼晶体管的光控开关电路,主要解决现有光控开关电路不能在超低光强度下工作的问题。其包括NPN三极管Q1,PNP三极管Q2,LED发光管,二硫化钼晶体管VT,两个分压电阻,开关和电源。VT的栅极通过第一分压电阻R1连接到电源正极,VT的漏极与Q1的基极连接,VT的源极连接到电源负极,Q1的发射极连接电源负极,Q1的集电极与Q2的基极连接并通过第二分压电阻R2连接电源正极,Q2的发射极连接电源正极,Q2的集电极通过LED连接电源负极,开关与电源串联。本发明通过利用二硫化钼晶体管提高了灵敏度,可探测超低强度光,并能在很小电流和很低电压的条件下工作,可用于光电集成电路。
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