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专利名称低功耗轨到轨衬底驱动比较器
申请日2018-09-30
申请号/专利号CN201811158839.2
专利权人天津大学
申请人天津大学
发明人/设计人徐江涛;赵希阳;高静;史再峰;聂凯明
公告日2019-03-29
公告号CN109546996A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明涉及集成电路领域,为提出一种低功耗轨到轨衬底驱动比较器,在电源电压较低以保证低功耗的同时,能够轨到轨输入以保证较大的输入摆幅,以用于能量收集系统。为此,本发明采取的技术方案是,低功耗轨到轨衬底驱动比较器,结构如下:PMOS管Min+的衬底是正输入端IN+,其栅极和漏极接地,源极接PMOS管M1的漏极,M1的栅漏极相连,源极接电源VDD,M1的栅极接PMOS管M2和M3的栅极,M2源极接VDD,漏极接NMOS管M4的漏极、栅极和NMOS管M5的栅极,M4和M5的源极接地,M5的漏极命名为diff并接到PMOS管M6的漏极。本发明主要应用于集成电路设计制造场合。
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