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| 专利名称 | MOS继电器的接线结构 |
| 申请日 | 2018-09-18 |
| 申请号/专利号 | CN201821523859.0 |
| 专利权人 | 天津隆华瑞达科技有限公司 |
| 申请人 | 天津隆华瑞达科技有限公司 |
| 发明人/设计人 | 胡广华;刘伟信;郭明星;李子航 |
| 公告日 | 2019-04-09 |
| 公告号 | CN208723870U |
| 法律状态 | 有效 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 行业分类 |
摘要
本实用新型提供了一种MOS继电器的接线结构，涉及控制电路技术领域，包括：多个MOS开关组成的MOS开关阵列以及耦合在MOS开关阵列中的多个接线端子，接线端子均匀分布在阵列中，以均衡每个MOS开关通过的电流；其中，MOS开关数量与接线端子数量的比值为3。避免了单个端子接线发热严重的情况。
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