本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及IGBT驱动电路，包括:与IGBT的栅极连接的驱动电路、以及连接在IGBT的栅极、发射极之间的消隐电路；所述消隐电路包括第一电容、第一电阻、MOS管、第一二极管，所述第一电容的一端连接驱动电路以及IGBT的栅极，另一端连接MOS管的栅极，所述第一电阻的一端连接MOS管的栅极，另一端连接MOS管的源极，所述MOS管的源极连接IGBT的发射极，MOS管的漏极连接第一二极管的负极，所述第一二极管的正极连接IGBT的栅极。本实用新型可以实现以下效果：通过增加消隐电路消除由于电路和器件寄生电容电感引起的驱动波形上升沿IGBTGE之间的震荡，减小对IGBT驱动电压的冲击和EMC的影响。