本发明公开了一种自我追踪双稳态锁存单元，包括交叉耦合锁存器、第一及第二可写入晶体管。交叉耦合锁存器接收锁存控制信号及参考电压。第一可写入晶体管的第一端输出第一位，第一可写入晶体管的第二端耦接于交叉耦合锁存器的第一数据端，而第一可写入晶体管的控制端接收追踪控制信号。第二可写入晶体管的第一端输出第二位，第二可写入晶体管的第二端耦接于交叉耦合锁存器的第二数据端，而第二可写入晶体管的控制端接收追踪控制信号。第一可写入晶体管及第二可写入晶体管两者的栅极氧化层皆较交叉耦合锁存器中晶体管的栅极氧化层薄。