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| 专利名称 | 基于电容补偿的数控衰减器 |
| 申请日 | 2018-09-05 |
| 申请号/专利号 | CN201821447396.4 |
| 专利权人 | 浙江铖昌科技有限公司 |
| 申请人 | 浙江铖昌科技有限公司 |
| 发明人/设计人 | 王利平;郑骎;刘利平;周甲武;郁发新 |
| 公告日 | 2019-01-08 |
| 公告号 | CN208353311U |
| 法律状态 | 有效 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 行业分类 | 集成电路 |
摘要
本实用新型公开了一种基于电容补偿的衰减器，该衰减器包括一个晶体管开关、一个并联衰减电阻、一个并联开路线电容以及匹配传输线，所述衰减器利用开关切换衰减状态和直通状态从而实现相对衰减的控制；本衰减器结构简单，占用面积小，寄生调相、衰减特性带宽良好，在单片集成电路应用中具有较大的优势和应用空间。
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