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专利名称电平移位电路
申请日2018-09-04
申请号/专利号CN201811029820.8
专利权人上海东软载波微电子有限公司
申请人上海东软载波微电子有限公司
发明人/设计人卢月娟;袁俊;陈光胜
公告日2019-02-15
公告号CN109347473A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种电平移位电路,包括:反相器及电平移位单元;所述电平移位单元包括:第一NMOS管,第二NMOS管,第一PMOS管,第二PMOS管及对抗隔离电路,其中:所述第一NMOS管的栅极与低压信号输出端耦接;所述低压信号输出端经所述反相器与所述第二NMOS管的栅极耦接;所述第一NMOS管的漏极作为第一输出端,所述第二NMOS管的漏极作为第二输出端;所述对抗隔离电路,耦接于所述电平移位电路的PMOS管及NMOS管之间,适于在所述电平移位电路进行电平转换的过程中,隔离所耦接的PMOS管及NMOS管之间的对抗。应用上述方案,可以有效缩短电平转换过程中PMOS管及NMOS管之间对抗的时间,减小电平转换过程中产生的贯通电流;从而,提高电平转换速度和降低功耗,满足高速、低压、低功耗的应用需求。
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