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专利名称半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法
申请日2018-08-27
申请号/专利号CN201810980802.1
专利权人瑞萨电子株式会社
申请人瑞萨电子株式会社
发明人/设计人福冈一树;植村俊文;北地祐子
公告日2019-03-05
公告号CN109428569A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

需要提供一种能够精确地监视用于监视目标电路的最小操作电压的半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法。根据一个实施例的半导体系统的监视器部分包括电压监视器和延迟监视器。电压监视器由与供给到作为监视目标电路的内部电路的电源电压VDD不同的电源电压SVCC驱动,并监视电源电压VDD。延迟监视器由电源电压VDD驱动,并监视内部电路中关键路径的信号传播时间。延迟监视器被配置为使得配置延迟监视器的多个晶体管的导通电阻中的最大导通电阻小于配置内部电路的多个晶体管的导通电阻中的最大导通电阻。
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