本发明属于电路控制技术领域，尤其涉及一种SiCMOSFET驱动保护电路及其驱动保护方法。该电路包括采样比较模块、信号锁存及逻辑控制模块、外部控制模块和误开通抑制执行模块。该驱动电路能够解决SiCMOSFET工作过程中由于各种原因引起的误开通问题，同时可通过处理器监控误开通抑制信号的频率，判断当前电路工作的环境，实时调节SiCMOSFET的开关频率和工作状态，可以大大增加电路的可靠性，延长器件的寿命。