本发明涉及一种亚纳秒高压脉冲产生电路，其特点是：储能电感L1通过节点2与半导体开关S1串联，储能电感L1的上端接电源VCC，半导体开关S1下端接地GND；电容C1通过节点3与DSRD器件D1串联之后与半导体开关S1并联，其中DSRD器件D1的阳极端接地GND；电容C2通过节点4与负载电阻RL串联之后与半导体开关S1并联，其中电容C2的另一端与节点2相连，负载电阻RL的另一端接地GND；节点1为输入节点，输入脉冲信号，与半导体开关S1的输入端相连；节点4为输出节点，输出亚纳秒电压脉冲。相比于常规的基于DSRD的亚纳秒高压脉冲电路，在反向泵浦阶段，本发明的电路中DSRD器件上的电流下降率更高，从而负载电阻RL上电流上升率更高，产生的电压脉冲前沿时间更短。