本发明提供一种基于极化码和元数据信息的NANDFLASH差错控制方法，涉及信息存储技术领域。先将信息序列进行CRC编码，得到CRC码字，然后把NANDFLASH中存储的元数据信息当作信息序列，整合CRC码字和元数据信息得到待编码的信息比特，进行Polar编码，得到Polar码字，把Polar码字中元数据信息所在的极化信道划分为冻结比特信道，得到一个新的Polar码字，对该码字进行凿孔，构造出适用于NANDFLASH的高码率Polar码。本发明解决了现有技术中Polar码字不能直接适用于任意页容量的NANDFLASH的技术问题。本发明有益效果为：提高NANDFLASH纠错过程的纠错性能。