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专利名称一种近载频低相位噪声频率合成器
申请日2018-08-21
申请号/专利号CN201810954963.3
专利权人成都天奥电子股份有限公司
申请人成都天奥电子股份有限公司
发明人/设计人王立生
公告日2019-01-18
公告号CN109245763A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开一种近载频低相位噪声频率合成器,包括顺次连接的三极管倍频器、滤波器、三极管放大器和锁相环电路;由三极管倍频器输入10MHz参考信号并进行低噪声倍频;滤波器对倍频信号进行窄带滤波;三极管放大器对滤波后的信号进行放大;锁相环电路包括顺次连接的鉴相器、环路滤波器、压控振荡器和分频器;鉴相器接收来自三极管放大器放大后的信号并与来自分频器的射频反馈信号进行鉴相;环路滤波器对鉴相器输出的电压误差信号进行低通滤波后作为控制信号送入压控振荡器的电压控制端;压控振荡器输出射频信号。本发明的三极管倍频器既提高了参考频率,又减少了对载波信号1Hz处相位噪声的恶化,锁相环电路具有更低的近载频1Hz相位噪声基底。
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