本发明公开了一种类E类射频功率放大器，两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接，第一电容的另一端接地；第一电阻一端接第一电容，另一端接VB；第二MOS的漏端依次串接第二电容以及第二电感后形成第二输出端，且第二输出端还通过一第四电容接地；第一MOS的漏端依次串接第三电容以及第三电感后形成第一输出端，且第一输出端还通过一第五电容接地。本发明每个MOS管均具有漏端输出，具有较强的输出功率，且实际占用的版图面积与传统的E类功率放大器的面积相当。