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专利名称锁存器
申请日2018-08-20
申请号/专利号CN201810947033.5
专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人/设计人蒋建伟
公告日2019-01-04
公告号CN109150138A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种锁存器,由一个储存单元、4个传输门和一个穆勒C单元组成;存储单元由3组2P1N型反相器和3组1P2N型反相器组成,每组2P1N型反相器由两个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管串联组成,每组1P2N型反相器由一个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管串联组成,存储单元共有6个存储节点;穆勒C单元中的第十PMOS晶体管~第十三PMOS晶体管和第十NMOS晶体管~第十三NMOS晶体管依次串联,第十三PMOS晶体管的漏极与第十NMOS晶体管的漏极相连接,其连接的节点作为锁存器的输出端Q;四个传输门的输入端作为锁存器的数据输入端,第四传输门的输出端与Q端相连接。本发明能够抵抗两位节点翻转,拦截存储单元传输的软错误。
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