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专利名称一种晶体振荡器模式抑制电路
申请日2018-08-20
申请号/专利号CN201810947828.6
专利权人北京无线电计量测试研究所
申请人北京无线电计量测试研究所
发明人/设计人韩艳菊;杨科
公告日2018-11-30
公告号CN108923751A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开一种晶体振荡器模式抑制电路,包括:电源端、第一节点、第二节点、晶体、第一振荡电容、第二振荡电容、抑制回路以及放大元件。本发明提供一种晶体振荡器模式抑制电路,仅通过调节电感L1和电容C1,使其谐振在SC切晶体所需泛音次数的C模频率处或附近,就可以起到抑制B模和其它泛音频率的作用,调试简单。仅利用振幅条件进行模式抑制,对振荡相位条件影响小,调试方便,参数耦合小,振荡调谐回路中的振荡电容C2和C3可以根据起振条件,以及增大晶体有载Q值等要求独立调节,可有效提高振荡频率稳定度和振荡信号质量,电路环境适应性强,可靠性高。
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