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| 专利名称 | 一种准单片集成氮化镓高功率放大器及组装方法 |
| 申请日 | 2018-08-17 |
| 申请号/专利号 | CN201810939733.X |
| 专利权人 | 成都航天科工微电子系统研究院有限公司;南京米乐为微电子科技有限公司 |
| 申请人 | 成都航天科工微电子系统研究院有限公司;南京米乐为微电子科技有限公司 |
| 发明人/设计人 | 武春风;姜鑫;姚昌文;白明顺;蒲季春;刘晓;夏冬;蒋一帆 |
| 公告日 | 2018-11-02 |
| 公告号 | CN108736844A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 |
摘要
本发明公开了一种准单片集成氮化镓高功率放大器及组装方法，包括：砷化镓驱动芯片、氮化镓有源管芯芯片、砷化镓无源功率合成芯片、直流偏置以及控制补偿电路和散热片。本发明可以在保证性能的情况下，极大的降低氮化镓功率放大器的成本，提高氮化镓功率放大器的可靠性。
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