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专利名称一种低功耗的SAR ADC电容阵列及其开关切换方法
申请日2018-08-14
申请号/专利号CN201810921810.9
专利权人江南大学
申请人江南大学
发明人/设计人顾晓峰;刘康生;虞致国
公告日2018-10-30
公告号CN108718197A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明属于集成电路技术领域,涉及一种低功耗的SAR ADC电容阵列及其开关切换方法,包括P端高位拆分电容、P端次高位电容阵列、P端低位补偿电容和P端低位补偿电容,其上极板均接比较器正向输入VIP;N端高位拆分电容、N端次高位电容阵列、N端低位拆分电容和N端低位补偿电容的上极板接比较器反向输入VIN;P端高位拆分电容下极板接控制开关SMP1、SMP2,P端次高位电容阵列下极板接控制开关SPn‑3……SP1;N端高位拆分电容下极板接控制开关SMN1、SMN2,N端次高位电容阵列下极板接控制开关SNn‑3……SN1;本发明通过把高位电容拆分为两个与次位电容阵列中最高位电容容值相同的并联电容,显著降低了转换过程中差分电容阵列的功耗,具有高速、面积小和低功耗的优点。
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