本实用新型涉及二极管技术领域，尤其是一种超低损耗理想二极管，包括组合逻辑控制电路和第一P沟道MOS管，组合逻辑控制电路包括第二P沟道MOS管、第三P沟道MOS管、第一电阻和第二电阻，第一P沟道MOS管的漏极连接第二P沟道MOS管的源极，第一P沟道MOS管的源极电连接第三P沟道MOS管的源极，第一P沟道MOS管的栅极电连接第三P沟道MOS管的漏极，第二P沟道MOS管的栅极连接第二P沟道MOS管的漏极和第三P沟道MOS管的栅极，第二P沟道MOS管的漏极通过第一电阻接地，第三P沟道MOS管的漏极通过第二电阻接地。