一种静电放电自保护电路，包括集成功率管单元，集成功率管单元包括功率管NM1，功率管NM1为N沟道MOS管，由若干个单位MOS管并联构成，功率管NM1的漏极引出作为集成功率管单元的漏极引脚，功率管NM1的源极引出作为集成功率管单元的接地引脚GND，还包括辅助触发电路，所述辅助触发电路，连接在功率管NM1的漏极与栅极之间，当功率管的漏极引脚发生ESD事件时，辅助触发电路辅助触发功率管NM1的导通，用以通过复用功率管NM1本身的导通通路作为静电放电的主泄放路径。本实用新型通过利用MOS管本身的导通通路来泄放电流，以此解决现有技术中触发点调节不灵活、对芯片面积花费大和触发不均匀的问题。