一种静电放电自保护电路，包括集成功率管单元，集成功率管单元包括功率管NM1，功率管NM1为N沟道MOS管，由若干个单位MOS管并联构成，功率管NM1的漏极引出作为集成功率管单元的漏极引脚，功率管NM1的源极引出作为集成功率管单元的接地引脚GND，还包括辅助触发电路，所述辅助触发电路，连接在功率管NM1的漏极与栅极之间，当功率管的漏极引脚发生ESD事件时，辅助触发电路比功率管NM1先导通，以产生导通电流来建立功率管NM1的栅源电压，使功率管NM1的栅源电压达到MOS管的阈值电压，以使构成功率管NM1的若干个单位MOS管均可导通；所述功率管NM1，用以通过复用功率管NM1本身的导通通路来对ESD事件所产生的静电电流进行泄放。