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专利名称一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路
申请日2018-08-08
申请号/专利号CN201821276022.0
专利权人南京汉瑞微波通信有限公司
申请人南京汉瑞微波通信有限公司
发明人/设计人李德敏
公告日2019-05-10
公告号CN208849737U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类

摘要

本实用新型公开一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路;解决的技术问题:针对现有X波段的GaN功率放大管偏置特性在调试过程和使用过程时先加正电会使放大管击穿的问题。采用的技术方案:一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路,包括滤波电容,限流电阻,延时电容,PNP三极管,稳压二极管,电感,P沟道MOS管和NPN三极管。优点:本电路具有X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路,可以实现当负电悬空或因器件导致负电为0时正电输出为0V从而保护GaN功率放大管,使用该电路技术提高了GaN功率放大管稳定性和寿命,同时结构简单、成本低。
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