| 欢迎访问江苏军地协同公共服务平台 |  |
 |
 |
 |
 |
 |
|
 |
 |
| 专利名称 | 符合GPIO的低电压晶体振荡器电路 |
| 申请日 | 2018-08-06 |
| 申请号/专利号 | CN201880035929.4 |
| 专利权人 | 微芯片技术股份有限公司 |
| 申请人 | 微芯片技术股份有限公司 |
| 发明人/设计人 | R·瓦加亚拉加万;A·库玛;K·卡尔尼克 |
| 公告日 | 2020-01-17 |
| 公告号 | CN110710103A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 |
摘要
本发明公开了一种低电压晶体振荡器，其具有用于耦合到GPIO/与GPIO解耦的原生NMOS晶体管。原生NMOS晶体管在接通(低电阻)时在低供电电压下正常工作，并且在关断(高电阻)时在高供电电压下正常工作。振荡器Gm驱动偏置电阻器被重新利用以在原生NMOS晶体管关断时使该原生NMOS晶体管退化，从而减少其泄漏电流(振荡器电路与GPIO节点解耦)。这确保在高供电电压下在外部时钟(EC)模式期间符合CMOSIIH泄漏电流规范。
 |
 |
|
| 关于我们 | 帮助中心 | 服务清单 | 发展历程 | 网站地图 | 手机访问 |
 |
 |
Copyrights 2016-2020 南京锐阳信息科技有限公司 版权所有 |
|
 |
|
