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专利名称一种可改善射频开关特性的射频开关电路
申请日2018-08-06
申请号/专利号CN201810882505.3
专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人/设计人刘张李;莘海维;蒙飞
公告日2019-01-04
公告号CN109150150A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开一种可改善射频开关特性的射频开关电路,包括:栅极电压控制模块,连接开关模块与体极电压控制模块,用于提供射频开关导通和截止的电压;开关模块,用于接通和断开射频信号通路;体极电压控制模块,连接该栅极电压控制模块与开关模块,用于在射频开关导通和截止时进一步减小导通电阻Ron和减小关断电容Coff,通过本发明,可减小射频开关电路的插损,优化隔离与谐波失真性能。
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