本发明公开了一种碳化硅MOSFET驱动电路，包括驱动变压器T4、二极管D14、电容C60、电阻R51、三极管V14、二极管D10、电阻R55、MOS管V4、二极管D13、电容C59、电阻R112、电阻R113、电阻R10、电容C61、二极管D15、二极管D7、MOS管Q14，MOS管Q14为要驱动的碳化硅NMOSFET，驱动变压器T4输入绕组与输出绕组同相，电容C59为MOS管Q14的栅极驱动电容，电容C59提高了MOS管Q14的抗干扰能力，防止噪声等引起的误导通。本发明引入了MOS管驱动电容的辅助放电通路，大幅提升了MOS管的关断速度，消除了缓慢导通造成的隐患，同时提高了导通效率及抗干扰能力。