本实用新型涉及电路和电子设备。本公开涉及一种电路和一种电子设备。所述电路可包括具有主体、漏极、栅极和源极的场效应晶体管。在一个实施方案中，所述电路还可包括可具有基极和集电极的双极晶体管，其中所述双极晶体管的所述集电极耦接到所述场效应晶体管的所述主体；并且所述场效应晶体管的所述漏极耦接到所述双极晶体管的所述基极。在另一个实施方案中，所述电路可包括具有阳极和阴极的二极管，其中所述场效应晶体管的所述源极耦接到所述二极管的所述阳极，并且所述场效应晶体管的所述栅极耦接到所述二极管的所述阴极。在另一方面，所述电子设备可包括对应于所述电路内的组件的一个或多个物理结构。