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专利名称高耐压的双叠接放大器
申请日2018-07-10
申请号/专利号CN201810751825.5
专利权人瑞昱半导体股份有限公司
申请人瑞昱半导体股份有限公司
发明人/设计人王柏之;陈家源;周昱廷
公告日2020-01-17
公告号CN110708024A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明揭露了一种高耐压的双叠接放大器,其一实施例包含一输入电晶体、一第一叠接电晶体、一耐压增强电路与一输出端。该输入电晶体耦接一低电压供应端,并依据输入电压决定输出电流。该第一叠接电晶体耦接该输入电晶体,并依据第一偏压导通以传递该输出电流。该耐压增强电路包含一第二叠接电晶体,将第二叠接电晶体置于该第一叠接电晶体与一高电压供应端之间,并依据第二偏压导通以传递该输出电流。该输出端耦接该第二叠接电晶体与该高电压供应端,并依据该输出电流输出一输出电压,其中该输入电晶体与该第一叠接电晶体叠接以及该第一叠接电晶体与该第二叠接电晶体叠接,以形成一双叠接架构具有一高耐压的特性。
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