本发明提出一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器制备方法，具体包括如下步骤：图形化衬底硅片，在所述衬底硅片的第一表面形成凹陷区域和凸起区域；制备二氧化硅覆盖层，覆盖所述衬底硅片的第一表面；平整化所述衬底硅片的第一表面，露出所述凸起区域；在所述凸起区域的上表面制备压电三明治结构；蚀刻所述凸起区域，形成空气隙。本发明采用二氧化硅作为器件的支撑结构，二氧化硅作为绝缘材料，在射频下损耗较小，因此本发明可以选择高阻硅片也可以选择普通硅片，在成本上能够降低；本发明的压电三明治结构生长于衬底硅片本身的单晶硅上，因此晶格匹配较好，有利于生长性能更好的下电极和压电薄膜，有利于改善薄膜体声波谐振器器件性能。