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专利名称太赫兹元件、半导体装置
申请日2018-06-26
申请号/专利号CN201880042706.0
专利权人罗姆股份有限公司
申请人罗姆股份有限公司
发明人/设计人向井俊和;金在瑛;外山智一郎
公告日2020-02-14
公告号CN110800099A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明的一方案提供的太赫兹元件具备半导体基板、第一导电层、第二导电层、能动元件。上述第一导电层以及第二导电层分别形成于上述半导体基板且相互绝缘。上述能动元件形成于上述半导体基板并与上述第一导电层以及上述第二导电层导通。上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角上相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部、连接于上述第一电容部的第一导电部。上述第二方向与上述厚度方向和上述第一方向正交。上述第二导电层包括第二电容部。上述第二电容部层叠于上述第一电容部且从上述第一电容部绝缘。上述半导体基板包括从上述第一电容部以及上述第二电容部露出的露出部。上述第一导电部具有在上述厚度方向视角上隔着上述露出部从上述第一天线部向上述第二方向离开的部位。
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